闪存的存储单元的形成方法

摘要

一种闪存的存储单元的形成方法，包括：提供位于半导体衬底表面的第一介质层、第一介质层表面的浮栅层、以及浮栅层表面的第二介质层；在第二介质层内形成相互贯通的第一开口和第二开口，第一开口的侧壁垂直于半导体衬底表面，第二开口的侧壁相对于半导体衬底表面具有第二角度；在第二开口底部的浮栅层内形成第三开口；在第三开口底部形成覆盖第一开口、第二开口和第三开口的侧壁第一侧墙；在第一侧墙之间的半导体衬底表面形成源线层和第二侧墙之后，去除第二介质层；再干法刻蚀第一侧墙和源线层两侧的浮栅层直至暴露出第一介质层为止；之后，在第一侧墙、浮栅层和源线层两侧的第一介质层表面形成字线层。所形成的闪存的存储单元性能提高。

主权项

一种闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有第一介质层、位于第一介质层表面的浮栅层、以及位于浮栅层表面的第二介质层；在所述第二介质层内形成第一开口、以及与所述第一开口的底部贯通的第二开口，所述第一开口的侧壁垂直于半导体衬底表面，或者所述第一开口的顶部尺寸大于底部尺寸，所述第二开口暴露出浮栅层表面，所述第二开口的顶部尺寸与所述第一开口的底部尺寸相同，所述第二开口的侧壁相对于半导体衬底表面具有第二角度，且所述第二开口的顶部尺寸大于所述第二开口的底部尺寸；以所述第二介质层为掩膜，采用各向同性的刻蚀工艺刻蚀所述第二开口底部的部分厚度的浮栅层，在所述浮栅层内形成第三开口；在所述第三开口底部的部分浮栅层表面形成覆盖所述第一开口、第二开口和第三开口的侧壁的第一侧墙；以所述第一侧墙和第二介质层为掩膜，采用各项异性的干法刻蚀工艺刻蚀所述浮栅层和第一介质层直至暴露出半导体衬底为止，形成第四开口，并在所述第四开口的侧壁表面形成第二侧墙；在所述第四开口底部的部分半导体衬底表面形成覆盖所述第二侧墙和部分第一侧墙表面的源线层，所述源线层的表面不高于所述第一侧墙的顶部，所述源线层表面具有掩膜层；在形成所述源线层和掩膜层之后，去除所述第二介质层，并以所述第一侧墙和掩膜层为掩膜，采用各向异性的干法刻蚀工艺刻蚀所述浮栅层，直至暴露出第一介质层为止；在刻蚀所述浮栅层之后，在所述第一介质层表面形成字线层，所述字线层覆盖所述第一侧墙未被源线层覆盖一侧的部分侧壁表面，且所述字线层低于所述第一侧墙的顶部。