分解检测装置、浓度测量装置和浓度控制装置

摘要

本发明提供分解检测装置、浓度测量装置和浓度控制装置，所述分解检测装置结构简单，并能检测在半导体材料气化后的材料气体中是否发生了分解。该分解检测装置包括：NDIR方式或激光吸收光谱方式的吸光度测量机构(1)，其对包含半导体材料气化后的材料气体的混合气体测量第一吸光度和第二吸光度，该第一吸光度是所述半导体材料吸收的波长的吸光度，该第二吸光度是所述半导体材料分解时产生的物质吸收的波长的吸光度；以及分解检测部(4)，其基于第一浓度和第二浓度之比来检测所述材料气体的分解，该第一浓度是基于所述第一吸光度和所述第二吸光度来计算，该第二浓度是基于所述第二吸光度来计算。

主权项

一种分解检测装置，其特征在于，包括：NDIR方式或激光吸收光谱方式的吸光度测量机构，其对包含半导体材料气化后的材料气体的混合气体测量第一吸光度和第二吸光度，所述第一吸光度是所述半导体材料吸收的波长的吸光度，所述第二吸光度是所述半导体材料分解时产生的物质吸收的波长的吸光度；以及分解检测部，其基于所述第一吸光度和所述第二吸光度，检测所述半导体材料的分解。