一种在纳米多孔铜上直接生长多孔碳纳米管-石墨烯杂化体的方法

摘要

本发明涉及一种在纳米多孔铜上直接生长多孔碳纳米管-石墨烯杂化体的方法。包括(1)将厚度为100-300μm的冷轧Cu₃₀Mn₇₀合金带用去离子水清洗后干燥，置于浓度为0.05-0.1mol/L的稀盐酸溶液中进行去合金化腐蚀，直到基本无气泡溢出后取出样品；用去离子水清洗；之后放入真空干燥箱中进行常温干燥；(2)将纳米多孔铜催化剂前驱体放入石英方舟中，置于管式炉的恒温区，在流量为100-200sccm的氩气气氛下以2-10℃/min升温速率升温至600-800℃；之后以100-200sccm的流量通入氢气，还原退火2-4h；之后关闭氢气并通入乙炔与氩气的混合气进行生长，其中乙炔和氩气体积比为1∶(20-40)，生长时间为0.5h-1h；之后在流量为50-150sccm的氩气气氛下以2-10℃/min的降温速率降温至200-300℃；之后随炉冷到室温取出。

主权项

一种在纳米多孔铜上直接生长多孔碳纳米管‑石墨烯杂化体的方法，其特征是：包括以下步骤，(1)制备纳米多孔铜催化剂前驱体将厚度为100‑300μm的冷轧Cu₃₀Mn₇₀合金带用去离子水清洗后干燥，置于浓度为0.05‑0.1mol/L的稀盐酸溶液中进行去合金化腐蚀，直到基本无气泡溢出后取出样品；用去离子水清洗；之后放入真空干燥箱中进行常温干燥，即制得纳米多孔铜催化剂前驱体；(2)制备多孔碳纳米管‑石墨烯杂化体将步骤(1)制得的纳米多孔铜催化剂前驱体放入石英方舟中，置于管式炉的恒温区，在流量为100‑200sccm的氩气气氛下以2‑10℃/min升温速率升温至600‑800℃；之后以100‑200sccm的流量通入氢气，还原退火2‑4h；之后关闭氢气并通入乙炔与氩气的混合气进行生长，其中乙炔和氩气体积比为1∶(20～40)，生长时间为0.5h‑1h；之后在流量为50‑150sccm的氩气气氛下以2‑10℃/min的降温速率降温至200‑300℃；之后随炉冷到室温取出，即制得在纳米多孔铜上均匀生长的多孔碳纳米管‑石墨烯杂化体。