一种GaN HEMT器件制作方法

摘要

本发明提供了一种GaN HEMT器件制作方法，HEMT器件外延制作时，首先采用MBE或MOCVD方法生长一层较薄的Al_XGa_1-XN成核层，利用纳米压印、刻蚀等技术，在Al_XGa_1-XN成核层上刻蚀出尺寸较小的图形；采用该图形化的Al_XGa_1-XN成核层进行GaN外延，并制作GaN HEMT器件。通过上述方式制作成的GaN HEMT器件，不仅具有图形化衬底外延横向生长缺陷较少的优点，同时尺寸较小的图形可以进一步避免通常的图形化衬底在外延过程中引入的孔洞，有利于后续的器件制作和使用。

主权项

一种GaN HEMT器件制作方法，其特征在于，包括步骤：S1：在衬底上外延Al_XGa_1‑XN成核层；S2：在所述Al_XGa_1‑XN成核层上形成周期性的压印胶；S3：在所述Al_XGa_1‑XN成核层上制作图形，形成图形化的Al_XGa_1‑XN成核层；S4：在所述图形化的Al_XGa_1‑XN成核层上生长外延层；S5：在所述外延层上制作源极、漏极和栅极；其中，0≤X≤1。