Hot-Carrier-Vorrichtung zur photoelektrischen Umwandlung und Verfahren dafür

摘要

Die vorliegende Erfindung stellt ein Hot-Carrier-Verfahren zur photoelektrischen Umwandlung bereit. Das Verfahren umfasst eine Hot-Carrier-Vorrichtung zur photoelektrischen Umwandlung, die eine P-Halbleiterschicht, eine N-Halbleiterschicht und eine anorganische lichtabsorbierende Leitschicht aufweist. Die anorganische lichtabsorbierende Leitschicht ist zwischen der P-Halbleiterschicht und der N-Halbleiterschicht gebildet und ein elektrisches Feld wird zwischen der P-Halbleiterschicht und der N-Halbleiterschicht gebildet. Des Weiteren werden Photonen durch die anorganische lichtabsorbierende Leitschicht absorbiert, um Elektronen und Löcher zu erzeugen. Die Elektronen und Löcher werden durch das elektrische Feld oder Diffusionseffekt jeweils auf die N-Halbleiterschicht und die P-Halbleiterschicht verschoben, sodass die Elektronen und die Löcher jeweils nach außen geleitet werden, um elektrische Energie zu erzeugen. Ferner erhöht die vorliegende Erfindung die Menge der absorbierten Photonen und bewirkt, dass Elektronen und Löcher schnell nach außen geleitet werden, wodurch die Effizienz der photoelektrischen Umwandlung gesteigert wird und elektrische Energie mit einer hohen Leerlaufspannung und einer hohen Stromstärke erzeugt wird.