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Ein Kollektorspiegel für ein EUV-Mikrolithografiesystem, der ein optisches Gitter (12) mit einer optisch wirksamen Spiegelfläche (17) aufweist, die elektromagnetische Nutzstrahlen (23, 25, 35, 42, 43) eines EUV-Spektralbereichs, die von einem ersten Brennpunkt (F1) ausgehen, reflektiert und auf einen zweiten Brennpunkt (F2) fokussiert, wobei der erste und der zweite Brennpunkt (F2) auf einer der Spiegelfläche (17) zugewandten Seite des optischen Gitters (12) liegen und eine optische Achse (OA) definieren, wobei das optische Gitter (12) dafür ausgelegt ist, um im Zusammenwirken mit einer im zweiten Brennpunkt (F2) angeordneten Blende (38) die Nutzstrahlen (23, 25, 35, 42, 43) durch die Blende (38) durchzulassen und elektromagnetische Reststrahlen (36, 47) eines vom EUV-Spektralbereich verschiedenen Restspektralbereichs zu blockieren, wobei das optische Gitter (12) ein Blazegitter aus einer Mehrzahl von Spiegelfacetten (14) aufweist, die jeweils eine Facettenfläche (15) aufweisen, wobei die Facettenflächen (15) die Spiegelfläche (17) des Blazegitters bilden, wobei die Facettenflächen (15) in einer die optische Achse (OA) umfassenden Schnittebene (16) auf mehreren gedachten, entlang der optischen Achse (OA) voneinander verschobenen Ellipsenschalen (18a–j) angeordnet sind, deren gemeinsame mathematischen Fokuspunkte mit dem ersten und dem zweiten Brennpunkt (F1, F2) zusammenfallen, wobei sich die Spiegelfläche (17) von einem Scheitelbereich (20) bis zu einem Randbereich (22) der gedachten Ellipsenschalen (18a–j) erstreckt. |
