| 摘要 |
본 발명은 (S1) 실리콘 기판 상에 알루미나층을 증착하는 단계; (S2) 상기 알루미나층 상에 팔라듐을 증착하여 팔라듐 촉매층을 형성하는 단계; 및 (S3) 상기 팔라듐 촉매층 상에 화학기상증착(chemical vapor deposition, CVD)법으로 탄소나노섬유를 성장시키는 단계;를 포함하는 탄소나노섬유의 성장방법 및 알루미나층이 증착된 실리콘 기판 상에서 수직 성장된 탄소나노섬유로서, 끝단의 곡률반경은 5 nm 이하이고, 지름은 50 nm 이하이며, 성장길이는 1 mm 이상이고, 성장길이와 지름의 종횡비는 50,000 이상인 것을 특징으로 하는 탄소나노섬유에 관한 것이다. |
