Fin-Feldeffekttransistor-Bauelement (FinFET-Bauelement) mit einer regulierten kritischen Ende-zu-Ende-Amessung sowie Verfahren zum Ausbilden von diesem

摘要

Eine Fin-Feldeffekttransistor-Bauelementstruktur (FinFET-Bauelementstruktur) und ein Verfahren zum Ausbilden einer FinFET-Bauelementstruktur sind bereitgestellt. Die FinFET-Bauelementstruktur umfasst ein Substrat und eine erste Finnenstruktur und eine zweite Finnenstruktur, sich über dem Substrat erstrecken. Die FinFET-Bauelementstruktur umfasst außerdem einen auf der ersten Finnenstruktur ausgebildeten ersten Transistor und einen auf der zweiten Finnenstruktur ausgebildeten zweiten Transistor. Die FinFET-Bauelementstruktur umfasst außerdem eine dielektrische Zwischenschichtstruktur (ILD-Struktur), die in einem Ende-zu-Ende-Spalt zwischen dem ersten Transistor und dem zweiten Transistor ausgebildet ist, und der Ende-zu-Ende-Spalt weist eine Breite in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 40 nm auf.