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Ein Chiplaminat (11) in diesem Halbleiterbauelement weist eine Struktur auf bestehend aus einem ersten Halbleiterchip (Zwischenspeicherchip (2b)) und einen zweiten Halbleiterchip (IF-Chip (3)), die zusammen laminiert sind. Der erste Halbleiterchip weist eine schaltungsbildende Schicht und eine erste Höckerelektrode (Oberflächenhöckerelektrode (22a)) auf, die auf einer Oberfläche ausgebildet ist, und eine zweite Höckerelektrode (hintere Höckerelektrode (23a)), die auf der anderen Oberfläche ausgebildet ist. Der zweite Halbleiterchip weist eine schaltungsbildende Schicht und eine dritte Höckerelektrode (Oberflächenhöckerelektrode (22b)) auf, die auf der einen Oberfläche ausgebildet ist, und eine vierte Höckerelektrode (hintere Höckerelektrode (23b)), die auf der anderen Oberfläche ausgebildet ist. Der erste Halbleiterchip und der zweite Halbleiterchip sind zusammen laminiert, so dass die schaltungsbildende Schicht des ersten Halbleiterchips der schaltungsbildenden Schicht des zweiten Halbleiterchips zugewandt ist und die erste Höckerelektrode mit der dritten Höckerelektrode elektrisch verbunden ist. |
