EUV-MASKE UND HERSTELLUNGSVERFAHREN MIT DEREN VERWENDUNG

摘要

Die vorliegende Offenbarung stellt eine Fotolithografiemaske bereit. Die Fotolithografiemaske umfasst ein Substrat, das ein Material mit niedriger Wärmeausdehnung (LTEM) enthält. Eine Spiegelstruktur ist über dem Substrat angeordnet. Eine Kappenschicht ist über der Spiegelstruktur angeordnet. Eine Absorberschicht ist über der Kappenschicht angeordnet. Die Absorberschicht enthält ein Material, das einen Brechungsindex in einem Bereich von ungefähr 0,95 bis zu ungefähr 1,01 und einen Extinktionskoeffizienten von größer als ungefähr 0,03 aufweist.