Siliziumkarbid-Epitaxiesubstrat, Verfahren zur Herstellung eines Siliziumkarbid-Epitaxiesubstrats, Verfahren zur Herstellung einer Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung, Siliziumkarbid-Wachstumsvorrichtung und Siliziumkarbid-Wachstumsvorrichtungselement

摘要

Ein Siliziumkarbid-Epitaxiesubstrat (10) mit einer Hauptfläche (einer zweiten Hauptfläche (2a)) umfasst: ein Trägersubstrat (1); und eine Siliziumkarbid-Epitaxieschicht (2), die auf dem Trägersubstrat (1) ausgebildet ist und die Hauptfläche (die zweite Hauptfläche (2a)) aufweist, wobei die zweite Hauptfläche (2A) eine Oberflächenrauheit von 0,6 nm oder weniger aufweist, wobei ein Verhältnis der Standardabweichung einer Stickstoffkonzentration in der Siliziumkarbid-Epitaxieschicht (2) auf einer Oberflächenschicht mit der Hauptfläche (der zweiten Hauptfläche (2a)) innerhalb einer Ebene des Siliziumkarbid-Epitaxiesubstrats (10) zu einem Mittelwert der Stickstoffkonzentration in der Siliziumkarbid-Epitaxieschicht (2) auf der Oberflächenschicht innerhalb der Ebene des Siliziumkarbid-Epitaxiesubstrats (10) 15% oder weniger ist.