| 摘要 |
고 전자 이동도 트랜지스터(HEMT)의 제조방법이 개시되어 있다. 본 발명의 일 실시예에 의한 HEMT의 제조방법은 기판 상에 격자상수가 다른 제1 및 제2 물질층을 형성한 다음, 상기 제2 물질층 상에 소스, 드레인 및 게이트를 형성하고, 상기 게이트와 상기 드레인 사이의 상기 제2 물질층을 이종 물질층으로 변화시키거나 상기 제2 물질층의 두께를 변화시키거나 상기 제2 물질층 상에 p형 반도체층을 형성한다. 상기 소스, 드레인 및 게이트는 상기 제2 물질층과 직접 접촉될 수 있다. 상기 제2 물질층의 변화는 상기 게이트와 상기 드레인 사이의 전체 영역 또는 상기 게이트에 인접한 일부 영역에서 나타날 수 있다. 상기 p형 반도체층은 상기 게이트와 상기 드레인 사이의 상기 제2 물질층의 상부면 전체 또는 상기 게이트에 인접한 일부 영역 상에 형성할 수 있다. |
