发明名称 熱電変換材料の製造方法
摘要 本発明は、多孔質基板上に原材料である熱電半導体材料の組成比が精度良く反映された熱電薄膜を形成し、前記多孔質基板と薄膜との密着性に優れ、かつ熱電変換効率に優れる熱電変換材料の製造方法を提供するものであり、多孔質基板上に、2種以上の元素を含有する熱電半導体材料の薄膜が形成された熱電変換材料の製造方法において、アークプラズマ蒸着法を用いて、前記熱電半導体材料を前記多孔質基板上に成膜する工程、かつ該成膜工程時及び/又は該成膜工程後に熱処理を施す工程を含むことを特徴とする熱電変換材料の製造方法である。
申请公布号 JPWO2014007225(A1) 申请公布日期 2016.06.02
申请号 JP20140523741 申请日期 2013.07.01
申请人 国立大学法人九州工業大学;リンテック株式会社 发明人 加藤 邦久;宮崎 康次;武藤 豪志;近藤 健;永元 公市
分类号 H01L35/34;H01L35/14;H01L35/16;H01L35/18;H01L35/20;H01L35/32 主分类号 H01L35/34
代理机构 代理人
主权项
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