Halbleitervorrichtung mit Metallstruktur in einer äußersten Verdrahtungsschicht und Via

摘要

Eine Halbleitervorrichtung (500) umfasst eine erste Force-Leitung (401), die elektrisch mit einer Metallstruktur (305) in einer äußersten Verdrahtungsschicht (300) verbunden ist, wobei sich ein Sense-Via (311) von der Metallstruktur (305) durch ein äußerstes Zwischenschichtdielektrikum (210) erstreckt. Eine erste Sense-Leitung (411) ist von der ersten Force-Leitung (401) getrennt und ist elektrisch mit der Metallstruktur (305) verbunden. Eine zweite Force-Leitung (402) ist elektrisch mit dem Sense-Via (311) durch eine Basisoberfläche (311a) des Sense-Vias (311) verbunden, wobei die Basisoberfläche (311a) von der Metallstruktur (305) abgewandt und zu einem Halbleiterkörper (100) ausgerichtet ist, der halbleitende Teile von wenigstens einem Halbleiterelement (190) umfasst. Eine zweite Sense-Leitung (412) ist elektrisch mit dem Sense-Via (311) durch die Basisoberfläche (311a) verbunden.