| 摘要 |
Es wird ein Verfahren zur Herstellung von Siliciumcarbid offenbart. Das Verfahren umfasst die Schritte: Bereitstellen eines Sublimationsofens, der einen Ofenmantel, wenigstens ein Heizelement, das außerhalb des Ofenmantels angeordnet ist, und eine heiße Zone, die im Inneren des Ofenmantels angeordnet ist, die von einer Isolierung umgeben ist, umfasst. Die heiße Zone umfasst einen Tiegel mit einem Siliciumcarbid-Vorläufer, der in der unteren Region angeordnet ist, und einen Siliciumcarbid-Impfkristall, der in der oberen Region angeordnet ist. Die heiße Zone wird erhitzt, um den Siliciumcarbid-Vorläufer zu sublimieren, wobei sich Siliciumcarbid an der unteren Oberfläche des Siliciumcarbid-Impfkristalls bildet. Offenbart wird auch der Sublimationsofen, um das Siliciumcarbid herzustellen, sowie das resultierende Siliciumcarbid-Material. |
