| 摘要 |
Es wird eine Leistungsumsetzungsvorrichtung 1 geschaffen, in der mehrere Halbleitermodule 108, 109 parallel geschaltet sind, wobei die Vorrichtung Stoßspannungen vereinheitlicht und verringert, die sich aus parasitären Induktivitäten zum Zeitpunkt des Umschaltens ergeben. Die Leistungsumsetzungsvorrichtung 1 umfasst einen ersten und einen zweiten Kondensator 102, 103 und ein erstes und ein zweites Halbleitermodul, wobei positive Anschlüsse des ersten und des zweiten Kondensators und positive Anschlüsse des ersten und des zweiten Halbleitermoduls 108, 109 durch eine positive Verdrahtung verbunden sind, negative Anschlüsse des ersten und des zweiten Kondensators und negative Anschlüsse des ersten und des zweiten Halbleitermoduls durch eine negative Verdrahtung verbunden sind, der erste Kondensator 102 mit ersten Enden der positiven Verdrahtung und der negativen Verdrahtung über den positiven Anschluss und den negativen Anschluss verbunden ist, der zweite Kondensator 103 mit zweiten Enden der positiven Verdrahtung und der negativen Verdrahtung über den positiven Anschluss und den negativen Anschluss verbunden ist, und das erste und das zweite Halbleitermodul durch die positive Verdrahtung über die positiven Anschlüsse verbunden sind und durch die negative Verdrahtung über die negativen Anschlüsse verbunden sind in Bereichen zwischen den ersten Enden und den zweiten Enden der positiven Verdrahtung und der negativen Verdrahtung. |
