| 摘要 |
本技術は、セルサイズを微細化させても、白キズが目立たないようにすることができる固体撮像素子、固体撮像装置、およびカメラ装置に関する。第１の方向に延在するｎ型不純物領域として形成されるレジスタ部と、レジスタ部に光電変換部から電荷を読み出し、レジスタ部と同じ方向に延在するｐ型不純物領域として形成される読み出し部と、光電変換部からの電荷の漏れ出しを抑止し、レジスタ部と同じ方向に延在するｐ型不純物領域として形成される水平素子分離部と、レジスタ部のポテンシャル分布を変化させるための電圧を印加する複数の転送電極とを有し、複数の転送電極のうち、待機電圧が所定の低電圧であるローレベル電極の下におけるレジスタ部を構成するｎ型不純物の総量が、待機電圧が所定の低電圧より高い電圧であるミドルレベル電極の下におけるレジスタ部を構成するｎ型不純物の総量より少ない。 |
