HALBLEITERVORRICHTUNG MIT GELADENER STRUKTUR UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERVORRICHTUNG

摘要

Eine Halbleitervorrichtung (100), die aufweist: ein Grabengebiet (102), das sich von einer Oberfläche (103) in eine Driftzone (104) eines Halbleiterkörpers (101) erstreckt; eine dielektrische Struktur (110), die sich entlang einer lateralen Seite des Grabengebiets (102) erstreckt, wobei ein Teil der dielektrischen Struktur (110) eine geladene und isolierende Struktur (110b) ist; eine Gateelektrode (113) im Grabengebiet (102); ein Bodygebiet (105) eines vom Leitfähigkeitstyp der Driftzone (104) verschiedenen Leitfähigkeitstyps; die geladene und isolierende Struktur (110b) an die Driftzone (104), an das Bodygebiet (105) und an die dielektrische Struktur (110) angrenzt und zudem an eine Unterseite eines Gatedielektrikums (110d) der dielektrischen Struktur (110) angrenzt oder unterhalb der Unterseite des Gatedielektrikums (110d) angeordnet ist; und wobei die geladene und isolierende Struktur (110b) zwischen einem Gateisolator (110d) und einem Feldisolator (110a) entlang einer vertikalen Richtung senkrecht zur Oberfläche (103) angeordnet ist, und wobei eine Dicke des Gateisolators (110d) entlang einer lateralen Richtung parallel zur Oberfläche (103) kleiner ist als eine Dicke des Feldisolators (110a) entlang der lateralen Richtung.