| 摘要 |
Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, umfassend: – einen p-Typ-Halbleiterbereich (4), – einen n-Typ-Halbleiterbereich (6), – eine zwischen dem p-Typ-Halbleiterbereich (4) und dem n-Typ-Halbleiterbereich (6) angeordnete aktive Schicht (5), die als Mehrfach-Quantentopfstruktur (51, 52) ausgebildet ist, wobei – die Mehrfach-Quantentopfstruktur (51, 52) einen ersten Bereich (51) von abwechselnden ersten Quantentopfschichten (51A) und ersten Barriereschichten (51B) und einen zweiten Bereich mit mindestens einer zweiten Quantentopfschicht (52A) und mindestens einer zweiten Barriereschicht (52B) aufweist, – die mindestens eine zweit Quantentopfschichten (52A) eine elektronische Bandlücke EQW2 aufweist, die kleiner als die elektronische Bandlücke EQW1 der ersten Quantentopfschichten (51A) ist, – die mindestens eine zweite Barriereschicht (52B) eine elektronische Bandlücke EB2 aufweist, die größer als die elektronische Bandlücke EB1 der ersten Barriereschichten (51B) ist, und der zweite Bereich (52) näher an dem p-Typ-Halbleiterbereich (4) als der erste Bereich (51) angeordnet ist. |
