| 摘要 |
Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl an Halbleiterchips (13) mit den folgenden Schritten angegeben: – Bereitstellen eines Wafers (1) mit einer Vielzahl an Halbleiterkörpern (2), wobei zwischen den Halbleiterkörpern (2) Trennlinien (9) angeordnet sind, – Abscheiden einer Kontaktschicht (10) auf dem Wafer (1), wobei das Material der Kontaktschicht (10) aus der folgenden Gruppe gewählt ist: Platin, Rhodium, Palladium, Gold, und die Kontaktschicht (10) eine Dicke zwischen einschließlich 8 Nanometer und einschließlich 250 Nanometer aufweist, – Aufbringen des Wafers (1) auf eine Folie (11), – zumindest teilweises Durchtrennen des Wafers (1) in vertikaler Richtung entlang der Trennlinien (9) oder Einbringen von Bruchkeimen (12) in den Wafer (1) entlang der Trennlinien (9), und – Brechen des Wafers (1) entlang der Trennlinien (9) oder Expandieren der Folie (11), so dass eine räumliche Trennung der Halbleiterchips (13) erfolgt, wobei auch die Kontaktschicht (10) getrennt wird. Weiterhin werden ein Halbleiterchip, ein Bauelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung angegeben. |
