HALBLEITEREINRICHTUNG

摘要

Eine Halbleitereinrichtung (10) enthält ein Halbleitersubstrat (11). Der Elementbereich (12) des Halbleitersubstrats enthält einen ersten Körperbereich (36a) eines ersten Leitfähigkeitstyps, einen ersten Driftbereich (32a) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, und eine Vielzahl von ersten schwebenden Bereichen (34), wobei jeder der ersten schwebenden Bereiche den ersten Leitfähigkeitstyp hat. Der Abschlussbereich enthält einen zweiten Driftbereich (32b) des zweiten Leitfähigkeitstyps und eine Vielzahl von zweiten schwebenden Bereichen (37), wobei jeder der zweiten schwebenden Bereiche den ersten Leitfähigkeitstyp hat. Jeder der zweiten schwebenden Bereiche ist von dem zweiten Driftbereich umgeben. Wenn eine Tiefe eines Zentrums des ersten Driftbereichs als eine Referenztiefe genommen wird, ist zumindest einer der zweiten schwebenden Bereiche näher an der Referenztiefe als jeder der ersten schwebenden Bereiche platziert.