エピタキシャル成長装置用のチャンバ構成要素

摘要

【課題】エピタキシャル成長装置用のチャンバ構成要素であるサセプタを提供する。【解決手段】反応チャンバ２は、シーリング板２１によって画定および形成される。反応物ガスは、側壁４に配された反応物ガス供給経路４１内で、反応チャンバ内の反応物ガスの流動方向の水平成分が、反応物ガス供給経路の開口の中心から延びる方向の水平成分に対応するように整流される。エピタキシャル成長装置１の上部側壁３１、サセプタ３および整流板５６を改良した結果、基板Ｗ上に形成されるエピタキシャル層の均一性および形成速度が向上し、その結果、スループットがより大きくなり、欠陥が減少した。【選択図】図１