| 摘要 |
半導体発光素子の垂直光閉じ込め係数Γｖを効果的に増加させ、発振しきい値電流を低下させる。半導体発光素子（１００）は、ＩＩＩ族窒化物半導体で構成されるｎ型光ガイド層（３）と、活性層（４）と、ｐ型光ガイド層（５）とを備え、ｎ型光ガイド層（３）は、ＩＩＩ族窒化物半導体ＡとＩＩＩ族窒化物半導体Ｂとを繰り返し積層した半導体超格子を含み、ＩＩＩ族窒化物半導体ＡおよびＩＩＩ族窒化物半導体Ｂの禁制帯幅をそれぞれＥｇ（Ａ）およびＥｇ（Ｂ）とすると、Ｅｇ（Ａ）＞Ｅｇ（Ｂ）であって、ＩＩＩ族窒化物半導体Ａは膜中に酸素（Ｏ）を１×１０１８ｃｍ−３以上含むＡｌＩｎＮで構成され、半導体超格子の積層方向に電流が注入される。 |
