| 发明名称 |
ナノリソグラフィーマスクの製造方法 |
| 摘要 |
本発明は、エッチングされる表面（１０）上に被着されたＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡブロックコポリマーフィルム（２０）からナノリソグラフィーマスクを製造する方法において、前記コポリマーフィルムが前記エッチングされる表面に対して垂直に向けられたＰＭＭＡナノドメイン（２１）を備え、以下の：−前記コポリマーフィルムに部分照射して（Ｅ１）、前記コポリマーフィルムに第１の照射範囲及び第２の非照射範囲を形成する工程、次に−前記コポリマーフィルムを現像剤溶媒中で処理して（Ｅ２）、前記コポリマーフィルムの前記第１の照射範囲の少なくとも前記ＰＭＭＡナノドメインを選択的に除去する工程を含むことを特徴とする方法に関する。【選択図】図１ |
| 申请公布号 |
JP2016516288(A) |
申请公布日期 |
2016.06.02 |
| 申请号 |
JP20150548711 |
申请日期 |
2013.12.16 |
| 申请人 |
アルケマ フランス;コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ |
发明人 |
ナヴァロ， クリストフ;アルグー， マクシム;シュバリエ， ザビエル;タイロン， ラルカ;ガルビ， アーメド |
| 分类号 |
H01L21/027;B82Y30/00;B82Y40/00;G03F7/038;G03F7/039;G03F7/32;H01L21/3065 |
主分类号 |
H01L21/027 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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