发明名称 HALBLEITERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
摘要 Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist, eine Halbleitervorrichtung, welche so konstruiert ist, dass sie eine Wölbung ihrer ganzen an einen Kühler anzufügenden Metallplatte und eine durch Anfügen einer Vielzahl von isolierenden Leiterplatten erzeugte lokale Wölbung verringert, und ein Verfahren zum Herstellen dieser Halbleitervorrichtung bereitzustellen. In einer Halbleitervorrichtung, in welcher eine Vielzahl von isolierenden Leiterplatten 21 getrennt voneinander an eine der Oberflächen einer Metallplatte 20 gelötet ist, sind den Positionen von Metallteilen 26 der jeweiligen isolierenden Leiterplatten 21 entsprechende erste Gebiete 13 auf der Oberfläche der Metallplatte 20, welche der Oberfläche, auf welcher die isolierenden Leiterplatten 21 angeordnet sind, entgegengesetzt liegt, gebildet und ist eine kaltgehärtete Oberflächenschicht 11 in mindestens einem Teil jedes der ersten Gebiete 13 gebildet. Eine lokale Wölbung, welche durch den Unterschied in der Wärmeausdehnung zwischen den isolierenden Leiterplatten 21 und der Metallplatte 20 verursacht wird, wird durch die Druckspannung der kaltgehärteten Oberflächenschicht 11 verringert.
申请公布号 DE112015000153(T5) 申请公布日期 2016.06.02
申请号 DE20151100153T 申请日期 2015.02.20
申请人 Fuji Electric Co., Ltd. 发明人 Saito, Takashi;Kato, Ryoichi;Momose, Fumihiko;Nishimura, Yoshitaka
分类号 H01L23/36;H01L23/12 主分类号 H01L23/36
代理机构 代理人
主权项
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