发明名称 线输入电压补偿电路
摘要 本发明涉及线输入电压补偿电路。用于LED恒流控制电路,包括输出端V<sub>ref_comp</sub>;还包括:电压指数函数生成电路3<sub>1~n</sub>,基准参考源<img file="DDA0000730343490000011.GIF" wi="67" he="56" />和基准参考源<img file="DDA0000730343490000012.GIF" wi="86" he="56" />,n+1个跨导电路,所述n+1个跨导电路为参数相同的跨导电路,n+1个1:1的镜像电流源1个阻性器件R<sub>a</sub>,阻性器件R<sub>3</sub>串接于输出端V<sub>ref_comp</sub>和公共接地端VSS之间;基准参考源<img file="DDA0000730343490000013.GIF" wi="68" he="56" />通过一跨导电路生成电流I<sub>0</sub>,并将该电流I<sub>0</sub>通过一镜像电流源镜像到输出端V<sub>ref_comp</sub>。本发明有益效果:补偿精度高,输出负载精度可控制在3%以内;补偿范围广,线输入电压补偿,也对变压器原边电感量补偿,补偿范围为全输入电压85Vac~265Vac,电感量补偿偏差高达60%;偿电路可在芯片内部集成,与外围参数无关,省掉了繁琐的外围参数调试过程,方便系统应用方案开发;补偿电路小,版图占用面积小。
申请公布号 CN103166465B 申请公布日期 2016.06.01
申请号 CN201310120749.5 申请日期 2013.04.09
申请人 上海晶丰明源半导体有限公司 发明人 张亮
分类号 H02M3/28(2006.01)I 主分类号 H02M3/28(2006.01)I
代理机构 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 代理人 翟羽
主权项 一种线输入电压补偿电路,用于LED恒流控制电路,该补偿电路包括输出端V<sub>ref_comp</sub>;还包括:电压指数函数生成电路3<sub>1~n</sub>,基准参考源<img file="FDA0000855183510000011.GIF" wi="84" he="70" />和基准参考源<img file="FDA0000855183510000012.GIF" wi="126" he="85" />n+1个跨导电路,所述n+1个跨导电路为参数相同的跨导电路,n+1个镜像电流源;所述镜像电流源均为1:1的镜像电流源,1个阻性器件R<sub>a</sub>,阻性器件R<sub>3</sub>串接于输出端V<sub>ref_comp</sub>和公共接地端VSS之间;基准参考源<img file="FDA0000855183510000017.GIF" wi="82" he="69" />通过一跨导电路生成电流I<sub>0</sub>,并将该电流I<sub>0</sub>通过一镜像电流源镜像到输出端V<sub>ref_comp</sub>;基准参考源<img file="FDA0000855183510000016.GIF" wi="82" he="64" />的电压U<sub>m</sub>通过电压指数函数生成电路3<sub>m</sub>生成指数函数电压:<img file="FDA0000855183510000013.GIF" wi="373" he="94" />通过一跨导电路将该指数函数电压<img file="FDA0000855183510000014.GIF" wi="332" he="79" />生成电流I<sub>m</sub>,并将该电流I<sub>m</sub>通过一镜像电流源镜像到输出端V<sub>ref_comp</sub>,所述T<sub>on</sub>为原边功率管的导通时间,R<sub>m</sub>和C<sub>m</sub>指生成第m个指数函数的RC电路的电阻值和电容值;其中1≤m≤n,所述n的取值范围为1≤n≤2;所述电压指数函数生成电路3<sub>m</sub>包括:一只阻性器件R<sub>m</sub>,一只电容C<sub>m</sub>,两只开关管K<sub>m1</sub>和K<sub>m2</sub>,在电路工作时开关管K<sub>m1</sub>和开关管K<sub>m2</sub>总是保持一个导通而另一个截至;开关K<sub>m1</sub>和开关K<sub>m2</sub>均受PFM的控制;电阻R<sub>m</sub>与开关管K<sub>m1</sub>串接后串接于基准参考源<img file="FDA0000855183510000015.GIF" wi="85" he="78" />和跨导电路的输入端之间;电容C<sub>m</sub>和开关管K<sub>m2</sub>均串接于跨导电路的输入端和公共接地端VSS之间;所述开关管K<sub>m1</sub>和开关管K<sub>m2</sub>均为高电平导通低电平关闭的开关,在开关管K<sub>m2</sub>的控制端与PFM之间串接一反相器INV<sub>m1</sub>;所述跨导电路包括:一阻性器件R<sub>b</sub>,一NMOS管,及一运算放大器;所述运算放大器的的正相输入端为该跨导电路的输入端,反相输入端与NMOS管的源极连接,输出端与NMOS管的栅极连接;所述阻性器件串接于NMOS管的源极和公共接地端VSS之间;所述阻性器件R<sub>b</sub>与阻性器件R<sub>a</sub>的阻值相同。
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