通过CVD蚀刻与淀积顺序形成的CMOS晶体管结区

摘要

本发明是对换置源-漏CMOS晶体管工艺的补充。处理工序可包括用一组设备在衬底材料中蚀刻一凹槽，然后在另一组设备中进行淀积。公开了一种在不暴露于空气的条件下、在同一反应器中进行蚀刻及后续淀积的方法。相对于“异处”蚀刻技术，用于交换源-漏应用的“原处”蚀刻源-漏凹槽具有若干优点。晶体管驱动电流通过下列方式获得了提高：(1)当蚀刻中表面暴露于空气时，消除硅-外延层界面的污染，以及(2)精确控制蚀刻凹槽的形状。淀积可通过包括选择性和非选择性方法的多种工艺来完成。在等厚淀积中，还提出了一种避免性能临界区中的非晶态淀积的方法。

主权项

一种通过CVD蚀刻和淀积顺序而形成CMOS晶体管结区的方法，包括：去除邻近栅电极的衬底的第一部分以形成第一结区，并去除邻近所述栅电极的所述衬底的不同的第二部分以形成所述衬底中的第二结区；以及在第一结区中和在第二结区中形成晶态材料的外延厚度；其中，去除和形成在同一室中进行而不破坏所述室的密封，其中形成外延厚度还包括：同时形成所述第一结区中晶态材料的第一外延厚度、所述第二结区中晶态材料的第二外延厚度以及在所述栅电极上的非晶态材料的共形厚度，其中，某一厚度的非晶态材料和某一厚度的晶态材料被同时去除。