| 发明名称 | 具有金属栅极应激源的FINFET | ||
| 摘要 | 提供用于鳍式场效晶体管(FinFET)器件的栅极应激源。栅极应激源包括底面、第一应激源侧壁、以及第二应激源侧壁。在栅极层的第一部分上形成底面。栅极层设置在浅沟槽隔离(STI)区域上。在栅极层的第二部分上形成第一应激源侧壁。栅极层的第二部分设置在鳍的侧壁上。在栅极层的第三部分上形成第二应激源侧壁。栅极层的第三部分设置在与鳍间隔开的结构的侧壁上。第一应激源侧壁和第二应激源侧壁没有超过鳍的高度。 | ||
| 申请公布号 | CN103325832B | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
| 申请号 | CN201310007898.0 | 申请日期 | 2013.01.09 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 巫凯雄;奧野泰利;简珮珊;曾伟雄 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种用于鳍式场效晶体管(FinFET)器件的栅极应激源，包括：底面，形成在栅极层的上表面上，所述栅极层设置在浅沟槽隔离(STI)区域上方；第一应激源侧壁，形成在所述栅极层的上表面上并且形成为沿着所述栅极层的第一侧壁，所述栅极层的第一侧壁设置在鳍的侧壁上；以及第二应激源侧壁，形成在所述栅极层的上表面上并且形成为沿着所述栅极层的第二侧壁，所述栅极层的第二侧壁设置在与所述鳍间隔开的结构的结构侧壁上，所述第一应激源侧壁与所述第二应激源侧壁均低于所述鳍的顶面。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||