一种反熔丝元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种反熔丝元件及其制造方法，所述反熔丝元件包括：形成于半导体衬底上的栅极结构，所述栅极结构包括自下而上依次层叠的栅极介电层和栅极材料层；形成于所述栅极结构的两侧所暴露的所述半导体衬底中的n型轻掺杂漏区域及掺杂铟的袋状注入区。所述半导体衬底和栅极材料层分别构成所述反熔丝元件的两个端子电极。通过调整所述掺杂铟的注入能量可以控制所述栅极介电层的击穿电压的大小。

主权项

一种反熔丝元件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构包括自下而上依次层叠的栅极介电层和栅极材料层；在所述栅极结构的两侧所暴露的所述半导体衬底中形成一n型轻掺杂漏区域及一掺杂铟的袋状注入区，当所述半导体衬底和栅极材料层之间施加一预定电压时，所述栅极介电层被击穿，所述反熔丝元件处于导通状态，通过调整所述掺杂铟的注入能量可以控制所述预定电压的大小。