带有部分绝缘埋层的横向功率器件及制作方法

摘要

本发明提供一种带有部分绝缘埋层的横向功率器件，包括支撑衬底、位于所述支撑衬底表面的绝缘埋层和位于所述绝缘埋层表面的有源层；所述绝缘埋层包括一掺杂窗口；所述支撑衬底包括第一掺杂埋层和第二掺杂埋层，所述第一掺杂埋层位于漏区的下方，所述第二掺杂埋层位于源区下方，所述第二掺杂埋层到所述绝缘埋层的距离大于所述第一掺杂埋层到所述绝缘埋层的距离。为实现上述带有部分绝缘埋层的横向功率器件，本发明同时提供一种制作方法，采用两次离子注入在支撑衬底内形成双埋层，在所述支撑衬底表面刻蚀以形成掺杂窗口。本发明的优点在于，提高了器件的击穿电压，并且能够通过掺杂窗口将产生的热量从衬底散出，加快热量耗散，提高器件的可靠性。

主权项

一种带有部分绝缘埋层的横向功率器件，包括具有第一导电类型的支撑衬底、位于所述支撑衬底表面的绝缘埋层和位于所述绝缘埋层表面的有源层；所述有源层包括栅区、分别位于所述栅区两侧的源区和漏区，所述源区与所述漏区具有第二导电类型；其特征在于，所述绝缘埋层包括掺杂窗口，所述掺杂窗口位于所述漏区下方，所述掺杂窗口填充有具有第一导电类型的半导体材料；所述支撑衬底包括第一掺杂埋层和第二掺杂埋层，所述第一掺杂埋层位于所述漏区的下方，所述第二掺杂埋层位于所述源区下方，所述第二掺杂埋层到所述绝缘埋层的距离大于所述第一掺杂埋层到所述绝缘埋层的距离，所述第一掺杂埋层和所述第二掺杂埋层均具有第二导电类型。