一种氧化锌基p型材料的制备方法

摘要

本发明提供一种氧化锌基p型材料的制备方法，属于半导体材料生长技术领域。该方法包括在基础层上制备渐变层；在渐变层上制备盖层；所述的基础层为Zn极性表面的ZnO材料，基础层的厚度大于300nm；所述的渐变层具有组分渐变的结构，组分渐变的结构自下而上为ZnO/Mg_δZn_1-δO/Mg_2δZn_1-2δO/…/Mg_(n-1)δZn_1-(n-1)δO/Mg_nδZn_1-nδO(δ→0，n为自然数)，渐变层厚度不大于1μm；盖层的材料组分与渐变层上表面一致，为Mg_nδZn_1-nδO(0.6≥nδ≥0.2)，盖层的厚度不小于5nm。该方法制备的氧化锌基p型材料具有良好的温度稳定性。

主权项

一种氧化锌基p型材料的制备方法，其特征在于，该方法包括：在基础层上制备渐变层；在所述的渐变层上制备盖层；所述的基础层为Zn极性表面的ZnO材料，所述的基础层的厚度大于300nm；所述的渐变层具有组分渐变的结构，组分渐变的结构自下而上为ZnO/Mg_δZn_1‑δO/Mg_2δZn_1‑2δO/…/Mg_(n‑1)δZn_{1‑(n‑1)δ}O/Mg_nδZn_1‑nδO(δ→0，n为自然数)，渐变层上表面Mg含量不小于20％且不高于60％，即Mg_nδZn_1‑nδO中，0.6≥nδ≥0.2，所述渐变层厚度不大于1μm；所述的盖层的材料组分与渐变层上表面一致，为Mg_nδZn_1‑nδO(0.6≥nδ≥0.2)，盖层的厚度不小于5nm。