发明名称 | 进行蚀刻期间在磁阻型器件中的磁性层的隔离 | ||
摘要 | 在进行后续蚀刻步骤之前,通过钝化磁性层的侧壁或者在侧壁上沉积非磁性电介质材料的薄膜来实现磁阻型堆叠中的磁性层的隔离。使用非反应性气体蚀刻所述磁性层还防止侧壁劣化。 | ||
申请公布号 | CN105637666A | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
申请号 | CN201480056269.X | 申请日期 | 2014.10.09 |
申请人 | 艾沃思宾技术公司 | 发明人 | C·穆迪瓦提;S·A·德施潘得;S·阿加瓦尔 |
分类号 | H01L41/47(2006.01)I | 主分类号 | H01L41/47(2006.01)I |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 申发振 |
主权项 | 一种制造包括磁阻型堆叠的磁阻型器件的方法,所述方法包括:蚀刻所述磁阻型堆叠的第一部分,以产生所述磁阻型堆叠的具有侧壁的被蚀刻的第一部分,其中,所述磁阻型堆叠的第一部分包括至少一个磁性材料层;包封所述磁阻型堆叠的所述被蚀刻的第一部分的侧壁;以及在包封所述磁阻型堆叠的所述被蚀刻的第一部分的侧壁之后,蚀刻所述磁阻型堆叠的第二部分,以产生所述磁阻型堆叠的被蚀刻的第二部分,其中,所述磁阻型堆叠的第一部分在所述磁阻型堆叠的第二部分上方。 | ||
地址 | 美国亚利桑那 |