发明名称 用于自旋转矩振荡器的低Bs自旋极化器
摘要 本发明涉及用于自旋转矩振荡器的低Bs自旋极化器。在一个实施例中,磁头包括:主磁极,其被定位配置成当电流被施加到写线圈时产生写磁场;和自旋转矩振荡器(STO),其定位成与主磁极相邻,该STO被配置成当将电流施加到其时产生高频磁场,其中高频磁场与写磁场同时产生以辅助磁记录介质的反向磁化。STO包括:自旋极化层(SPL)、定位成与SPL相邻的场产生层(FGL)、和定位在SPL与FGL之间的一个或多个中间层,并且SPL的易磁化轴被定位在面内方向上,使得SPL不存在垂直的磁各向异性。
申请公布号 CN105632518A 申请公布日期 2016.06.01
申请号 CN201510845633.7 申请日期 2015.11.26
申请人 HGST荷兰有限公司 发明人 佐藤阳;椎本正人;五十岚万寿和;长坂惠一;冈村进;佐藤雅重
分类号 G11B5/127(2006.01)I;G11B5/10(2006.01)I 主分类号 G11B5/127(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 赵晓祎;戚传江
主权项 一种磁头,包括:主磁极,所述主磁极被配置成当电流被施加于写线圈时生成写磁场;和定位成与所述主磁极相邻的自旋转矩振荡器(STO),所述STO被配置成当电流被施加于其时生成高频磁场,其中,所述高频磁场与所述写磁场同时产生,其中,所述STO包括:自旋极化层(SPL);定位成与所述SPL相邻的场产生层(FGL);和定位在所述SPL与所述FGL之间的一个或多个中间层,以及其中,所述SPL的易磁化轴定位在面内方向上,使得所述SPL不存在垂直磁各向异性。
地址 荷兰阿姆斯特丹