发明名称 一种利用半导体制冷片进行高低温可控晶圆键合的方法
摘要 一种利用半导体制冷片进行高低温可控晶圆键合的方法,步骤为:晶圆贴合在晶圆压头上→半导体制冷片的冷面与晶圆压头相贴合对晶圆降温→压头压力作用下进行键合→半导体制冷片的热面与晶圆压头相贴合对晶圆升温→退火。本发明一方面通过半导体制冷片的冷面,对晶圆的键合过程实施干预,以热传导的方式降低晶圆的温度,使晶圆表面附近的气体液化,然后在一定外力和水分子双重因素作用下,使原本空洞处的R-OH通过水分子的桥接作用连接起来,以达到减少甚至根除晶圆预键合空洞的形成;另一方面通过半导体制冷片的热面,以热传导的方式升高已经键合晶圆的温度,使其在一定温度下完成退火,以达到进一步减少空洞的数量和增加晶圆键合界面强度的目的。
申请公布号 CN105632902A 申请公布日期 2016.06.01
申请号 CN201511011062.3 申请日期 2015.12.30
申请人 哈尔滨工业大学 发明人 王晨曦;许继开;田艳红;刘宝磊
分类号 H01L21/18(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I 主分类号 H01L21/18(2006.01)I
代理机构 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 代理人 高媛
主权项 一种利用半导体制冷片进行高低温可控晶圆键合的方法,其特征在于所述方法步骤如下:一、对第一晶圆和第二晶圆表面分别进行清洗及活化处理;二、将清洗及活化处理过的第一晶圆和第二晶圆分别贴合在第一晶圆压头和第二晶圆压头上;三、通过半导体制冷片的冷面与晶圆压头贴合对第一晶圆和第二晶圆进行降温处理;四、在压头压力作用下使第一晶圆和第二晶圆进行键合;五、通过半导体制冷片的热面与晶圆压头贴合对键合的晶圆在一定温度下进行退火处理。
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