具有一侧上加宽的脊结构的半导体激光器

摘要

本发明涉及一种半导体激光器（1），包括主体（2）以及布置在所述主体上的脊结构（3），所述脊结构在有源区带之上被沿着纵向轴定向，其中，所述脊结构具有第一宽度，并且其中，所述脊结构沿着所述纵向轴（8）具有两个相对的端表面，其中所述脊结构与至少一个端表面相邻地具有相对于所述脊结构的中心轴布置在一侧上的端分段（5），以使得所述脊结构（3）与所述端表面相邻地在一侧上被加宽。此外，在所述脊结构的相对于端分段的侧上，断裂沟道（47）被与所述端表面相邻地并且在距所述脊结构（3）一定距离处布置在所述主体的表面中。所述半导体激光器被生长在晶片（17）上，并且切块在沿着所述端分段和所述断裂沟道（47）的纵向轴中心定位的断裂方向（14）上发生。

主权项

一种半导体激光器（1），包括主体（2）以及布置在所述主体上的脊结构（3），所述脊结构在有源区带（10）之上被沿着纵向轴定向，其中，所述脊结构（3）具有第一宽度，并且其中，所述脊结构沿着所述纵向轴具有两个相对端面（6），其特征在于，所述脊结构与至少一个端面（6）相邻地具有相对于所述脊结构（3）的中心轴（8）布置在一侧上的端区段（5、18），以使得所述脊结构（3）与所述端面（6）相邻地在一侧上被加宽，其中，在所述脊结构（3）的相对于所述端区段（5、18）的相对侧上，断裂沟道（47）被与所述端面（6）相邻地布置并且在所述主体（2）的表面（11）中距所述脊结构（3）一定距离处。