VERTICAL TRANSISTOR DEVICES FOR EMBEDDED MEMORY AND LOGIC TECHNOLOGIES
摘要
수직형 트랜지스터 소자들이 기술된다. 예를 들어, 일 실시예에서, 수직형 트랜지스터 소자는 기판상에 배치되는 에피택셜 소스 반도체 영역, 소스 반도체 영역상에 배치되는 에피택셜 채널 반도체 영역, 채널 반도체 영역상에 배치되는 에피택셜 드레인 반도체 영역, 및 반도체 채널 영역의 측벽들을 둘러싸는 게이트 전극 영역을 포함한다. 반도체 영역들 중 적어도 하나의 영역의 조성은 기판의 표면에 대하여 수직인 종축을 따라 변동된다.
申请公布号
KR20160061967(A)
申请公布日期
2016.06.01
申请号
KR20167002996
申请日期
2014.09.02
申请人
INTEL CORPORATION
发明人
DOYLE BRIAN S.;SHAH UDAY;KOTLYAR ROZA;KUO CHARLES C.
