| 发明名称 | 半导体器件结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种半导体器件结构及其制作方法。根据一示例，该方法包括：在衬底上设置有源区；在衬底上形成至少一条连续的栅极线，所述栅极线经由栅介质层与有源区相交；绕所述栅极线形成电介质侧墙；在所述栅极线的两侧，在有源区中形成源/漏区；形成与源/漏区电接触的接触部；在第一预定区域处，在接触部中形成沟槽，所述沟槽并未切断接触部；以及在第二预定区域处，实现器件间电隔离，被隔离的栅极线部分形成相应单元器件的栅极。 | ||
| 申请公布号 | CN103681461B | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
| 申请号 | CN201210333470.0 | 申请日期 | 2012.09.10 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 钟汇才;梁擎擎;罗军;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 倪斌 |
| 主权项 | 一种制作半导体器件结构的方法，包括：在衬底上设置有源区；在衬底上形成至少一条连续的栅极线，所述栅极线经由栅介质层与有源区相交；绕所述栅极线形成电介质侧墙；在所述栅极线的两侧，在有源区中形成源/漏区；形成与源/漏区电接触的接触部；在第一预定区域处，在接触部中形成沟槽，所述沟槽并未切断接触部；以及在第二预定区域处，实现器件间电隔离，被隔离的栅极线部分形成相应单元器件的栅极。 | ||
| 地址 | 100083 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||