发明名称 |
一种底部补偿硼元素的多晶硅铸锭工艺 |
摘要 |
本发明涉及一种底部补偿硼元素的多晶硅铸锭工艺,属于多晶硅生产领域。一种底部补偿硼元素的多晶硅铸锭工艺,所述工艺于铸锭炉中进行,包括原料装料步骤,所述原料装料步骤:在坩埚底部均匀铺设若干块状高硼硅料,铺设面积为坩埚底面积的1/5~1/3,厚度为3~10mm,其上放置普通硅料与硅硼合金原料,且将硅硼合金原料按照自坩埚底部向上含量依次减少的分布规律置于坩埚中。本发明提供的多晶硅铸锭工艺可以实现硼元素在铸锭内的均匀分布、特别是补偿铸锭底部的低硼元素含量区,硅锭的出成率可以提高5%;均匀的硼元素分布、低的位错密度使得硅锭的效率提高0.1~0.2%。 |
申请公布号 |
CN103849931B |
申请公布日期 |
2016.06.01 |
申请号 |
CN201410123650.5 |
申请日期 |
2014.03.28 |
申请人 |
大连理工大学 |
发明人 |
李鹏廷;姜大川;李佳艳;任世强;谭毅;石爽 |
分类号 |
C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I |
主分类号 |
C30B28/06(2006.01)I |
代理机构 |
大连东方专利代理有限责任公司 21212 |
代理人 |
赵淑梅;李馨 |
主权项 |
一种底部补偿硼元素的多晶硅铸锭工艺,所述工艺于铸锭炉中进行,包括原料装料步骤,其特征在于:所述原料装料步骤:在坩埚底部均匀铺设若干块状高硼硅料,铺设面积为坩埚底面积的1/5~1/3,厚度为3~10mm,其上放置普通硅料与硅硼合金原料,且将硅硼合金原料按照自坩埚底部向上含量依次减少的分布规律置于坩埚中;所述自坩埚底部向上含量依次减少的分布规律是将硅硼合金原料按重量分为1/2、1/3、1/6三个部分,首先在坩埚底部铺设普通硅料,底部铺普通硅料至其高度为2~3cm后将1/2的硅硼合金均匀放置于普通硅料之上,继续铺设普通硅料;铺料至坩埚中心高度时均匀铺设1/3硅硼合金,再继续铺料;当铺料距坩埚顶部1~2cm时将1/6硅硼合金均匀铺在普通硅料之上。 |
地址 |
116024 辽宁省大连市高新园区凌工路2号 |