发明名称 |
一种热敏电阻器的制备方法 |
摘要 |
一种热敏电阻器的制备方法,属于电子元件的制备领域。将Mn<sub>3</sub>O<sub>4</sub>、Co<sub>3</sub>O<sub>4</sub>、NiO、Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>混合成粉料;将锆球、粉料和去离子水进行混料和行星球磨,在1000℃的箱式炉中预烧,经过筛网过筛制得所需粉体;将NTCR粉体直接通过冷等静压机压成坯体;采用Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>粉埋烧,在箱式炉中烧结成瓷,通过切割机切割成厚度为0.3mm的薄片,涂覆银电极浆料,在850℃的炉中烧渗、再经过划片机划片,制成芯片;在芯片电极上焊接引脚后制得电阻器。通过采用固相反应法制作NTC热敏电阻器芯片,制出一种新型薄膜封装型NTC热敏电阻器。该方法流程实现了薄膜封装型NTC热敏电阻器的批量化生产。产品性能经可靠性实验,性能稳定可靠,易于推广。 |
申请公布号 |
CN105622083A |
申请公布日期 |
2016.06.01 |
申请号 |
CN201410598275.X |
申请日期 |
2014.10.31 |
申请人 |
陕西高华知本化工科技有限公司 |
发明人 |
刘秋丽 |
分类号 |
C04B35/36(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/36(2006.01)I |
代理机构 |
西安亿诺专利代理有限公司 61220 |
代理人 |
康凯 |
主权项 |
一种热敏电阻器的制备方法,其特征在于包括如下步骤:(1)将Mn<sub>3</sub>O<sub>4</sub>、Co<sub>3</sub>O<sub>4</sub>、NiO、Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>,按r(Mn:Co:Ni:Fe)=3.24:1.0:1.16:0.6混合成粉料;(2)将锆球、粉料和去离子水按照4:1:2进行混料和行星球磨,在1000℃的箱式炉中预烧,经过175μm的筛网过筛,制得所需粉体;(3)将NTCR粉体直接通过冷等静压机压成坯体;采用Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>粉埋烧,在箱式炉中烧结成瓷,通过内圆切割机切割成厚度为0.3mm的薄片,涂覆银电极浆料,在850℃的马弗炉中烧渗15min、再经过划片机划片,制成芯片;(4)在芯片电极上焊接引脚后制得电阻器。 |
地址 |
710065 陕西省西安市高新区沣惠南路36号橡树街区B座10406室 |