| 发明名称 | 一种电磁屏蔽用软磁合金及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种电磁屏蔽用软磁合金及其制备方法，属于电磁复合材料技术领域。该合金的表达式为：M<sub>a</sub>Z<sub>b</sub>T<sub>c</sub>Si<sub>d</sub>；其中，表达式中M为Fe、Co、Ni中的至少一种，Z为P、N、B、C、O、As中的至少一种，T为Sn、Sb、Pb、Al、Bi、Ga、Zr、Ti、Ta、Hf、Nb、V、W、Mo、Mn、Cr、Y中的至少一种，其余为少量不可避免的杂质；所述表达式中a、b、c和d分别表示各对应组分的原子百分比含量(原子％)，且满足：25≤a≤70，5≤b≤70，0≤c≤10，0<d≤20，且a+b+c+d＝100。该合金具有优良的导磁性、极低的磁损耗以及良好的韧性，特别适用于高频下的电磁屏蔽。 | ||
| 申请公布号 | CN105624588A | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
| 申请号 | CN201511022923.8 | 申请日期 | 2015.12.30 |
| 申请人 | 安泰科技股份有限公司 | 发明人 | 周少雄;董帮少;张广强;李宗臻;高慧;崔乃日 |
| 分类号 | C22C45/02(2006.01)I;C22C45/04(2006.01)I;C22C45/00(2006.01)I | 主分类号 | C22C45/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人 | 刘春成;荣红颖 |
| 主权项 | 一种电磁屏蔽用软磁合金，其特征在于，该合金的表达式为：M<sub>a</sub>Z<sub>b</sub>T<sub>c</sub>Si<sub>d</sub>；其中，所述表达式中M为Fe、Co、Ni中的至少一种，Z为P、N、B、C、O、As中的至少一种，T为Sn、Sb、Pb、Al、Bi、Ga、Zr、Ti、Ta、Hf、Nb、V、W、Mo、Mn、Cr、Y中的至少一种，其余为少量不可避免的杂质；所述表达式中a、b、c和d分别表示各对应组分的原子百分比含量(原子％)，且满足以下条件：25≤a≤70，5≤b≤70，0≤c≤10，0<d≤20，且a+b+c+d＝100。 | ||
| 地址 | 100081 北京市海淀区学院南路76号 | ||