发明名称 用于EUV掩模的薄膜及其制造方法
摘要 本发明根据一些实施例提供了一种方法。从背侧研磨晶圆。将晶圆插入到通过框架保持架限定的开口内。通过临时层将框架保持架附接至载体。将晶圆的正侧附接至临时层。之后,从背侧蚀刻晶圆直到晶圆达到预定厚度。之后,将其中的框架保持架和晶圆从临时层和载体分离。本发明实施例涉及用于EUV掩模的薄膜及其制造方法。
申请公布号 CN105629656A 申请公布日期 2016.06.01
申请号 CN201510843473.2 申请日期 2015.11.26
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 石志聪;游信胜;陈政宏;严涛南
分类号 G03F1/24(2012.01)I 主分类号 G03F1/24(2012.01)I
代理机构 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人 章社杲;李伟
主权项 一种方法,包括:从背侧研磨晶圆;将所述晶圆插入到通过框架保持架限定的开口内,其中,通过临时层将所述框架保持架附接至载体,其中,实施所述插入从而使得所述晶圆的正侧附接至所述临时层;之后,从背侧蚀刻所述晶圆直到所述晶圆达到预定厚度;以及之后,将其中的所述框架保持架和所述晶圆从所述临时层和所述载体分离。
地址 中国台湾新竹