发明名称 用于监测水渍状缺陷的检测晶圆及检测方法
摘要 一种用于监测水渍状缺陷的检测晶圆及检测方法,其中检测晶圆,包括晶圆;位于晶圆上的介质层;位于介质层中的若干钨金属插塞,钨金属插塞的表面与介质层的表面齐平。将本发明的检测晶圆对某一化学机械研磨机台设备进行监测时,当检测过程中如果有去离子水溅射到检测晶圆表面时,去离子水仍为液态,该溅射到检测晶圆表面的去离子水溶解钨金属插塞表面的钨盐,经过热板干燥、风干或自然干燥后,该去离子水经浓缩后在介质层区域形成含有钨盐的水渍状缺陷,通过缺陷检测设备可以检测到该水渍状缺陷,因而可以很快的判断该化学机械研磨机台是否存在问题,防止将在线产品在存在问题的化学机械研磨机台上进行相应的工艺,防止产生漏电现象或开路现象。
申请公布号 CN105632961A 申请公布日期 2016.06.01
申请号 CN201610052577.6 申请日期 2016.01.26
申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 发明人 徐涛;王卉;陈宏;曹子贵
分类号 H01L21/66(2006.01)I 主分类号 H01L21/66(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 吴敏
主权项 一种用于监测水渍状缺陷的检测晶圆,其特征在于,包括:晶圆;位于晶圆上的介质层;位于介质层中的若干钨金属插塞,所述钨金属插塞的表面与介质层的表面齐平。
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