发明名称 聚合物基杂化膜及其制备方法和应用
摘要 本发明公开了一种聚合物基杂化膜及其制备方法和应用,所述聚合物基杂化膜的材料为改性陶瓷颗粒掺杂的聚合物;所述聚合物基杂化膜中,所述改性陶瓷颗粒的质量百分含量为5%~30%,所述聚合物的质量百分含量为70%~95%;所述改性陶瓷颗粒的表面有经过表面改性剂改性形成的有机改性层。这种聚合物基杂化膜的材料为改性陶瓷颗粒掺杂的聚合物,通过改性陶瓷颗粒的掺杂,提高了介电常数,同时增加了储能密度。与传统的聚合物基材料相比,这种聚合物基杂化膜的储能密度最高可以达到15kJ/L,储能密度较高。
申请公布号 CN105623156A 申请公布日期 2016.06.01
申请号 CN201511006121.8 申请日期 2015.12.28
申请人 深圳清华大学研究院 发明人 宋宇;郑斌;沈洋;南策文
分类号 C08L27/16(2006.01)I;C08L23/12(2006.01)I;C08L67/00(2006.01)I;C08L81/02(2006.01)I;C08L63/00(2006.01)I;C08L79/08(2006.01)I;C08K9/06(2006.01)I;C08K9/04(2006.01)I;C08K3/24(2006.01)I;B32B27/08(2006.01)I;B32B27/28(2006.01)I;B32B27/30(2006.01)I;B32B27/32(2006.01)I;B32B27/36(2006.01)I;B32B27/38(2006.01)I 主分类号 C08L27/16(2006.01)I
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人 生启
主权项 一种聚合物基杂化膜,其特征在于,所述聚合物基杂化膜的材料为改性陶瓷颗粒掺杂的聚合物;所述聚合物基杂化膜中,所述改性陶瓷颗粒的质量百分含量为5%~30%,所述聚合物的质量百分含量为70%~95%;所述改性陶瓷颗粒的表面有经过表面改性剂改性形成的有机改性层。
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