电子器件的制造方法

摘要

在从第一硅层(210)侧对SOI基板(200)进行蚀刻的第一蚀刻工序中，将第一结构体中的由第一硅层(210)所构成的部分形成为具有比最终形状还大的形状的预结构。在将最终掩模(390)形成在SOI基板(200)的第二硅层(230)侧的掩模形成工序中，将与第一结构体的最终形状对应的第一掩模(391)形成为布置在预结构内。在从第二硅层(230)侧对SOI基板(200)进行蚀刻的第二蚀刻工序中，通过利用第一掩模(391)对第二硅层(230)和预结构进行蚀刻，从而形成第一结构体的最终形状。

主权项

一种电子器件的制造方法，在所述电子器件的制造方法中，对至少包括第一层和第二层的基板进行蚀刻来形成结构体，所述电子器件的制造方法的特征在于：所述电子器件的制造方法包括：从所述第一层侧对所述基板进行蚀刻的第一蚀刻工序；在所述基板的所述第二层侧形成掩模的掩模形成工序；以及利用所述掩模从所述第二层侧对所述基板进行蚀刻的第二蚀刻工序，在所述第一蚀刻工序中，将所述结构体中的由所述第一层所构成的部分形成为具有比最终形状还大的形状的预结构，在所述掩模形成工序中，将与所述最终形状对应的掩模形成为布置在所述基板的所述第二层侧而且从所述基板的厚度方向看去时布置在所述预结构内，在所述第二蚀刻工序中，通过利用所述掩模对所述第二层和所述预结构进行蚀刻，从而形成所述最终形状。