| 发明名称 | 高K栅介质/金属栅叠层栅结构刻蚀后聚合物去除方法 | ||
| 摘要 | 一种高K栅介质/金属栅叠层栅结构刻蚀后聚合物去除方法，主要步骤如下：1)在器件隔离形成后，在硅衬底上依次形成界面SiO<sub>2</sub>/高K栅介质/金属栅/多晶硅/硬掩膜叠层栅结构；2)光刻形成胶图形；3)刻蚀叠层栅结构；4)将步骤3的产品浸没于腐蚀溶液中去除聚合物，腐蚀溶液配比为氢氟酸0.2～1％，盐酸5～15％，其余为水。本发明采用氢氟酸(HF)/盐酸(HCl)混合的水溶液化学湿法腐蚀，在室温下就能去净叠栅两侧及硅衬底表面残留的聚合物，不仅保持陡直的叠栅刻蚀剖面，并对硅衬底不造成损伤，与CMOS工艺兼容性好，成本低。 | ||
| 申请公布号 | CN102468131B | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
| 申请号 | CN201010541134.6 | 申请日期 | 2010.11.10 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 徐秋霞;李永亮 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周长兴 |
| 主权项 | 一种高K栅介质/金属栅叠层栅结构刻蚀后聚合物去除方法，主要步骤如下：步骤1)在器件隔离形成后，在硅衬底上依次形成界面SiO<sub>2</sub>/高K栅介质/金属栅/多晶硅/硬掩膜叠层栅结构，其中，高K栅介质为HfO<sub>2</sub>、HfSiON、HfSiO、HfLaO、HfLaON、HfAlON或HfSiAlON；步骤2)光刻形成胶图形；步骤3)刻蚀叠层栅结构，其中，该叠层栅结构中的金属栅采用Cl基反应离子刻蚀，该Cl基反应离子刻蚀为BCl<sub>3</sub>/Cl<sub>2</sub>/Ar或BCl<sub>3</sub>/Cl<sub>2</sub>/SF<sub>6</sub>/Ar混合气体刻蚀；步骤4)将步骤3)的产品浸没于腐蚀溶液中去除聚合物，腐蚀溶液体积配比为氢氟酸0.2～1％，盐酸5～15％，其余为水，具体包括：在室温下于腐蚀溶液中浸没10～120秒，并搅动腐蚀溶液。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||