半导体装置及半导体装置的制造方法

摘要

公开一种半导体装置及半导体装置的制造方法。根据实施例，设置半导体基板、金属膜、表面改性层和再布线。半导体基板上形成了布线及焊盘电极。金属膜在所述半导体基板上形成。表面改性层在所述金属膜的表层形成，提高与光刻胶图形的贴紧性。再布线隔着所述表面改性层在所述金属膜上形成。

主权项

一种半导体装置，其具备：形成了布线及焊盘电极的半导体基板；在所述半导体基板上形成的金属膜；在所述金属膜上形成的再布线；以覆盖所述布线及焊盘电极的方式在所述半导体基板上形成的保护膜；在所述保护膜形成的、使所述焊盘电极露出的第1开口部；以及在所述保护膜上形成的第1缓冲层；该半导体装置的特征在于，还具备：在所述金属膜的表层形成的、位于所述金属膜与所述再布线之间的表面改性层；在所述保护膜形成的、使所述布线的一部分露出的第2开口部；在所述第1缓冲层形成的、经由所述第1开口部使所述焊盘电极露出的第3开口部；在所述第1缓冲层形成的、经由所述第2开口部使所述布线的一部分露出的第4开口部；以及在所述第1缓冲层和所述再布线之间形成的、包括所述金属膜的第1基底阻挡金属膜，所述金属膜的表面是Cu，所述表面改性层是Cu氧化膜，所述保护膜是无机绝缘体，所述第1缓冲层是从聚酰亚胺系树脂、丙烯酸系树脂及苯酚系树脂中选择的树脂，所述再布线具备：经由所述第1开口部及所述第3开口部与所述焊盘电极连接的第1再布线；经由所述第2开口部及所述第4开口部与所述布线连接的第2再布线；以及在所述第1缓冲层上形成的第3再布线。