发明名称 |
硅基光调制器 |
摘要 |
本发明提供一种硅基光调制器,至少包括:脊型波导,包括平板部和位于所述平板部中间,且高于所述平板部的凸条;所述脊型波导中包括第一轻掺杂区和第二轻掺杂区,第一轻掺杂区包括形成在凸条中间,且沿着所述凸条的延伸方向的纵向第一轻掺杂区和至少一个形成在所述凸条和所述平板部上,且与所述凸条相交的横向第一轻掺杂区;第二轻掺杂区和第一轻掺杂区的掺杂类型相反,且形成于第一轻掺杂区外侧的凸条和平板部中,以与第一轻掺杂区构成横向和纵向的PN结。本发明的技术方案中提供的硅基光调制器利用多个横向第一轻掺杂区与第二轻掺杂区、纵向第一轻掺杂区与第二轻掺杂区形成PN结,可以增加模场中耗尽区的面积,从而提高硅基光调制器的调制效率。 |
申请公布号 |
CN105629519A |
申请公布日期 |
2016.06.01 |
申请号 |
CN201410621547.3 |
申请日期 |
2014.11.06 |
申请人 |
江苏尚飞光电科技有限公司;中科院南通光电工程中心;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
发明人 |
汪敬;甘甫烷;盛振;武爱民;仇超;王曦;邹世昌 |
分类号 |
G02F1/01(2006.01)I;G02B6/122(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/01(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
李仪萍 |
主权项 |
一种硅基光调制器,其特征在于,所述硅基调制器至少包括:脊型波导,所述脊型波导包括平板部和位于所述平板部中间,且高于所述平板部的凸条;所述脊型波导中包括第一轻掺杂区和第二轻掺杂区,所述第一轻掺杂区包括纵向第一轻掺杂区和至少一个横向第一轻掺杂区,所述纵向第一轻掺杂区形成在凸条中间,且沿着所述凸条的延伸方向,所述横向第一轻掺杂区形成在所述凸条和所述平板部上,且与所述凸条相交;所述第二轻掺杂区和所述第一轻掺杂区的掺杂类型相反,且形成于所述第一轻掺杂区外侧的凸条和平板部中,以与所述第一轻掺杂区构成横向和纵向的PN结。 |
地址 |
226009 江苏省南通市苏通科技产业园纬14路30号 |