一种具有可控曲率的凹面结构的封装结构及其制造方法

摘要

本发明提出一种具有可控曲率的凹面结构的封装结构及其制造方法，该方法包括在硅衬底上制作锡凸点，并基于锡凸点的直径和/或高度来实现凸点曲率半径的控制，在锡凸点表面光刻出金属引线，沉积介质材料，将金属引线包围在介质材料中最后释放衬底和锡凸点而制得封装结构。该方法所制得的封装结构，凹面结构的侧壁曲率可控，凹面直径可在几十微米到几毫米之间自由调节，可用于BSI、MEMS、WLP等多种非平面封装需求，具备良好的工艺适应性。

主权项

一种用于制造具有可控曲率凹面的封装结构的方法，其特征在于包括下列步骤:(a)在衬底上溅射金属种子层，在种子层上光刻显影出焊盘，在所述焊盘中电镀锡柱，然后回流形成锡凸点；(b)在锡凸点的表面上制作导电结构；(c)沉积介质材料，将导电结构包围在介质材料中，介质材料形成支撑；(d)释放所述衬底和锡凸点，形成具有凹面的封装结构；其中，在步骤(a)中，可控制锡柱的高度或/和底面积，来调整锡凸点的曲率半径。