发明名称 |
碲镉汞富碲液相外延金原位掺杂分凝系数测定方法及装置 |
摘要 |
本发明公开了一种碲镉汞富碲液相外延金原位掺杂分凝系数的测定方法及装置。本发明通过先假定分凝系数得到单位体积Au-HgCdTe母液中Au的含量,并进行Au-HgCdTe母液中Au、Hg、Cd、Te含量的计算,随后进行母液合成和液相外延,最后通过去除衬底获得纯的Au-HgCdTe薄膜,再用ICP-OES测试Au-HgCdTe薄膜中Au的实际掺杂浓度,最后根据分凝系数的公式,结合单位体积Au-HgCdTe母液中Au的含量,计算出碲镉汞富碲液相外延金原位掺杂分凝系数,解决了现有技术不能用于碲镉汞富碲液相外延金原位掺杂分凝系数测定的问题,能够获得高度准确的测试结果。 |
申请公布号 |
CN105628548A |
申请公布日期 |
2016.06.01 |
申请号 |
CN201511021591.1 |
申请日期 |
2015.12.31 |
申请人 |
中国电子科技集团公司第十一研究所 |
发明人 |
胡尚正;刘铭;折伟林;吴卿;孙浩;周立庆 |
分类号 |
G01N5/04(2006.01)I |
主分类号 |
G01N5/04(2006.01)I |
代理机构 |
工业和信息化部电子专利中心 11010 |
代理人 |
梁军 |
主权项 |
一种碲镉汞富碲液相外延金原位掺杂分凝系数的测定方法,其特征在于,包括以下步骤:根据金Au在碲镉汞HgCdTe中的预设分凝系数得到单位体积Au‑HgCdTe母液中Au的含量M3;根据Au‑HgCdTe薄膜中规定的Cd的组分及HgCdTe的相图分别得到Au‑HgCdTe母液中Hg、Cd、Te的称取质量M<sub>Hg</sub>、M<sub>Cd</sub>及M<sub>Te</sub>;计算Au‑HgCdTe母液的密度ρ和Au‑HgCdTe母液的体积V;根据所述M3和所述V计算Au‑HgCdTe母液中Au的称取质量M<sub>Au</sub>;根据所述M<sub>Au</sub>、M<sub>Hg</sub>、M<sub>Cd</sub>及M<sub>Te</sub>分别称量Au、Hg、Cd、Te后进行合成得到Au‑HgCdTe母液;将所述Au‑HgCdTe母液在CdZnTe衬底上液相外延形成Au‑HgCdTe薄膜,所述CdZnTe衬底和Au‑HgCdTe薄膜共同构成外延材料,去除所述外延材料中的CdZnTe衬底,得到质量为M1的Au‑HgCdTe薄膜;对所述Au‑HgCdTe薄膜进行浓度检测,得到所述Au‑HgCdTe薄膜中的Au的浓度,并根据所述浓度和所述Au‑HgCdTe薄膜的质量M1计算单位质量Au‑HgCdTe薄膜中Au的含量M2,根据所述Au‑HgCdTe母液的密度ρ和所述M2,得到所述单位体积Au‑HgCdTe薄膜中Au的含量M4;根据所述M3和M4计算碲镉汞富碲液相外延金原位掺杂分凝系数K。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路4号 |