| 发明名称 | 一种四方相钛镁酸铋-钛酸铅基压电单晶的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种四方相钛镁酸铋-钛酸铅基压电单晶的制备方法，所述四方相钛镁酸铋-钛酸铅基压电单晶的组成化学式为(1-<i>x</i>)Bi(Mg<sub>1/2</sub>Ti<sub>1/2</sub>)O<sub>3</sub>-<i>x</i>PbTiO<sub>3</sub>，所述制备方法包括：1）称取MgO、TiO<sub>2</sub>、Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和铅的氧化物，混合均匀后得到晶体生长用起始料；2）将晶体生长用起始料和籽晶置于坩埚中放入下降炉内，先在700～1250℃下保温，然后升温至1300～1450℃保温，再将坩埚以0.1～1.2mm/小时速度下降，生长界面的温度梯度为20～100℃/cm；3）将生长完毕的晶体冷却到室温。<b /> | ||
| 申请公布号 | CN105624791A | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
| 申请号 | CN201410588052.5 | 申请日期 | 2014.10.28 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 刘锦峰;许桂生;杨丹凤;陈夏夏 |
| 分类号 | C30B29/32(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;H01L41/22(2013.01)I | 主分类号 | C30B29/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人 | 曹芳玲;郑优丽 |
| 主权项 | 一种四方相钛镁酸铋‑钛酸铅基压电单晶的制备方法，其特征在于，所述四方相钛镁酸铋‑钛酸铅基压电单晶的组成化学式为(1‑<i>x</i>)Bi(Mg<sub>1/2</sub>Ti<sub>1/2</sub>)O<sub>3 </sub>‑<i>x</i>PbTiO<sub>3</sub>，其中0.50≦<i>x</i>≦0.90，所述制备方法包括：1）按所述四方相钛镁酸铋‑钛酸铅基压电单晶的组成化学式称取MgO、TiO<sub>2</sub>、Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和铅的氧化物，混合均匀后得到晶体生长用起始料；2）将步骤1）制备的晶体生长用起始料和籽晶置于坩埚中放入下降炉内，先在700～1250℃下保温3～20小时，然后升温至1300～1450℃保温3～15小时，再将坩埚以0.1～1.2mm/小时速度下降，生长界面的温度梯度为20～100℃/cm；3）将步骤2）中生长完毕的晶体，以10～300℃/小时的速度冷却到室温，得到所述四方相钛镁酸铋‑钛酸铅基压电单晶。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区定西路1295号 | ||